MRF8S21200HR6 MRF8S21200HSR6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, 2110--2170 MHz Bandwidth
IMD Symmetry @ 140 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
8
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
35
?
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ Pout
=48WAvg.
GF
?
0.4
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.02
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.02
?
dB/°C
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